比亞迪：2019年將推出搭載SiC電控的電動(dòng)車 【圖】
來(lái)源：電車之家
近日比亞迪對(duì)外宣布已投入巨資布局半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪旗下的電動(dòng)車將全面搭載SiC電控。
12月10日，比亞迪在IGBT4.0技術(shù)發(fā)布會(huì)上，對(duì)外宣布已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，目的在于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動(dòng)車領(lǐng)域的應(yīng)用。
同時(shí)，比亞迪方面表示公司已經(jīng)成功研發(fā)了SiCMOSFET（汽車功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中，實(shí)現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。
何為IGBT？IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種大功率的電力電子器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電，俗稱電力電子裝置的“CPU”。
據(jù)了解，IGBT的成本占整車成本的5%左右。對(duì)于電動(dòng)車而言，IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。
實(shí)地走訪比亞迪寧波IGBT生產(chǎn)車間，新浪財(cái)經(jīng)得知目前比亞迪IGBT模塊生產(chǎn)周期為45天，產(chǎn)能為每月5萬(wàn)。據(jù)比亞迪第六事業(yè)部總經(jīng)理陳剛介紹，公司目前在此領(lǐng)域已投入超過(guò)億元，于2019年6月擴(kuò)張產(chǎn)能至10萬(wàn)每月。
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