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比亞迪:2019年將推出搭載SiC電控的電動(dòng)車 【圖】

來源:電車之家

發(fā)表于: 2018.12.12
   

近日比亞迪對(duì)外宣布已投入巨資布局半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅),有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到2023年,比亞迪旗下的電動(dòng)車將全面搭載SiC電控。

比亞迪:2019年將推出搭載SiC電控的電動(dòng)車 【圖】

12月10日,比亞迪在IGBT4.0技術(shù)發(fā)布會(huì)上,對(duì)外宣布已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC,并將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈,目的在于降低SiC器件的制造成本,加快其在電動(dòng)車領(lǐng)域的應(yīng)用。

同時(shí),比亞迪方面表示公司已經(jīng)成功研發(fā)了SiCMOSFET(汽車功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等),有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到2023年,比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中,實(shí)現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IGBT的全面替代,將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

何為IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種大功率的電力電子器件,主要用于變頻器逆變和其他逆變電路,將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,俗稱電力電子裝置的“CPU”。

據(jù)了解,IGBT的成本占整車成本的5%左右。對(duì)于電動(dòng)車而言,IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

實(shí)地走訪比亞迪寧波IGBT生產(chǎn)車間,新浪財(cái)經(jīng)得知目前比亞迪IGBT模塊生產(chǎn)周期為45天,產(chǎn)能為每月5萬。據(jù)比亞迪第六事業(yè)部總經(jīng)理陳剛介紹,公司目前在此領(lǐng)域已投入超過億元,于2019年6月擴(kuò)張產(chǎn)能至10萬每月。

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